Популярные
5ШТ IPB180N03S4L-01 Шелкография 4N03L1 посылка TO-263-7-контактный N-канальный 30V180A MOS полевой эффект трубки 0
5ШТ IPB180N03S4L-01 Шелкография 4N03L1 посылка TO-263-7-контактный N-канальный 30V180A MOS полевой эффект трубки 1
5ШТ IPB180N03S4L-01 Шелкография 4N03L1 посылка TO-263-7-контактный N-канальный 30V180A MOS полевой эффект трубки 2
5ШТ IPB180N03S4L-01 Шелкография 4N03L1 посылка TO-263-7-контактный N-канальный 30V180A MOS полевой эффект трубки 3
5ШТ IPB180N03S4L-01 Шелкография 4N03L1 посылка TO-263-7-контактный N-канальный 30V180A MOS полевой эффект трубки 0
5ШТ IPB180N03S4L-01 Шелкография 4N03L1 посылка TO-263-7-контактный N-канальный 30V180A MOS полевой эффект трубки 1
5ШТ IPB180N03S4L-01 Шелкография 4N03L1 посылка TO-263-7-контактный N-канальный 30V180A MOS полевой эффект трубки 2
5ШТ IPB180N03S4L-01 Шелкография 4N03L1 посылка TO-263-7-контактный N-канальный 30V180A MOS полевой эффект трубки 3

5ШТ IPB180N03S4L-01 Шелкография 4N03L1 посылка TO-263-7-контактный N-канальный 30V180A MOS полевой эффект трубки

373.94₽

SKU: l17610

0 Отзывы

Напишите Свое мнение

Технические характеристики

  • Тип корпуса - Поверхностное крепление
  • Происхождение - МОЙ(Происхождение)
  • Тип - Полевой транзистор
  • Номер модели - IPB180N03S4L-01
  • Состояние - Новое